低组分量子点In<,x>Ga<,1>-<,x>As/GaAsr MBE生长

摘要：

该文报道了用分子束外延（ＭＢＥ）、自组织法生长低组分、低应变量子点超晶格Ｉｎ〈，ｘ〉Ｇａ〈，１－ｘ〉Ａｓ／ＧａＡｓ材料（样品组分为０．２８），量子点的平均尺度为高约１０ｎｍ、直径约３０ｎｍ，低温下（１５Ｋ）荧光谱（ＰＬ）测其发光峰位在１．２５９ｅＶ、半高宽为６３ｍｅＶ，红外吸收测量表明：正入射下在１４～１５μｍ有着强烈吸收。

关键词： 量子点 自组织 分子束外延 红外探测 外延生长 低组分 半导体材料

作者: 于磊 潘量 曾一平 李晋闽 孔梅影

作者单位: 科学院半导体所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届全国机械工程材料青年学术年会

会议地点: 安徽芜湖市

会议语种:中文

页码: 245～247

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）