InGaAs/GaAs应变超晶格中量子点的生长

摘要：

量子点的生长目前一直是一个热门研究问题。该文通过对ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变超晶格多层量子点材料的透射电镜（ＴＥＭ）照片的研究，对应变超晶格中量子点的成点机制作了一些讨论，认为量子点的形成是应力不断积累而最终弛豫的结果。

关键词： 量子点 应变超晶格 应力弛豫 成点机制 生长 铟钙砷钙砷 半导体材料

作者: 潘量 庄乾东 曾一平 王红梅

作者单位: 科学院半导体研究所材料中心新材料部

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届全国机械工程材料青年学术年会

会议地点: 安徽芜湖市

会议语种:中文

页码: 227～229

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）