高品质立方氮化硼薄膜

摘要：

该工作报道了低应力立方氮化硼薄膜。TEM测量表面薄膜表面是一层纯立方氮化硼。红外光谱结果表明在这个层与基底之间是由E-BN和W-BN组成的中间层。该工作提出了薄膜生长过程中可比经历了一个从E-BN和W-BN到c-BN的相转变。

关键词： 立方氮化硼簿膜 低应力 E-BN中间层

作者: 赵永年 邹广田

作者单位: 大学超硬材料国家重点实验室,超分子结构与谱学开放实验室(长春) 大学超硬材料国家重点实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 973～974

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）