c-BN薄膜在WC上的制备

摘要：

运用射频磁控溅射方法研究了不同衬底上立方氮化硼薄膜的生长。红外谱分析表明在硬质合金衬底上沉积立方氮化硼薄膜时，负偏压对立方相含量的影响与单晶硅衬底上的相似，只是最佳偏压值不同。对于硬质合金衬底，其最佳负偏压是在-150V附近。

关键词： 立方氮化硼 红外光谱 磁控溅射

作者: 王波 赵永年 何志 朱品文 邹广田

作者单位: 工业大学应用物理系 大学超硬材料实验室(长春)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 981～982

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）