偏压对c-BN薄膜生长特性的影响

摘要：

用射频溅射的方法通过衬底上加负偏压在硅衬底上成功制备出高立方相含量的氮化硼薄膜，傅立叶变换红外谱的分析表明，沉积薄膜由立方氮化硼、六方氮化硼和三氧化二硼3种成分组成。衬底负偏压对薄膜中各组份的含量有较大影响，随衬底负偏压的升高立方氮化硼的含量增加，六方氮化硼的含量减小。另外，研究人员首次在不加衬底负偏压的条件下，用射频溅射的方法沉积得到了含立方相的氮化硼薄膜。

关键词： 立方氮化硼 簿膜 傅立叶变换红外谱

作者: 张兴旺 严辉 王波 路永刚 陈光华

作者单位: 大学物理系 工业大学应用物理系

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 978～980

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）