立方GaN/GaAs(001)的X射线双晶衍射及结构特性

摘要：

采用X射线双晶衍射与三轴晶衍射技术分析了立方GaN/GaAs(001)外延层的结构特性。GaN(002)、(004)晶面的结构振幅相近，但(002)晶面的X射线双晶摇摆曲线的积分强度是(004)的5倍多，利用影响积分强度的因素详细分析了引起这种差异的原因。双晶衍射ω摇摆曲线中包含晶向效应和晶格参数效应引起的衍射峰的加宽信息，使用X射线三轴晶衍射技术分别测出这两种效应的大小，并利用倒易空间和Eward反射球解释了这些效应的加宽。

关键词： 立方GaN X射线双晶衍射 结构特性

作者: 郑新和 渠波 王玉田 杨辉 梁骏吾

作者单位: 中国科学院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 148～151

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）