HL-1M装置内壁锂涂覆实验

摘要：

HL-1M装置运行期间，一直在探索适合本装置的壁处理技术，分别研究了硼化、硅化和锂涂覆技术。其中，硅化已成为装置的常规壁处理技术，锂涂覆技术还在探索中。该文详细介绍了HL-1M装置锂化技术的进展、锂化效果和锂化后的内壁状态以及目前锂化技术的不足。

关键词： 锂涂覆技术 杂质 杂质辐射 壁状态

作者: 王明旭 张年满 王志文 王恩耀 严东海 崔成河 梁雁

作者单位: 核工业西南物理研究院

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国等离子体科学技术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 319-322

在线出版日期: 1999-08-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）