离子注入SOI薄膜材料的制备及性能

摘要：

ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）技术发展迅速，被认为是２１世纪最重要的硅集成电路技术。ＳＯＩ－ＣＭＯＳ电路具有高速度、低功耗、抗辐照等一系列优点。作者用氧、氮离子注入硅中，得到性能良好的ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ Ｏｘｙｇｅｎ）和ＳＩＭＮＩ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ Ｎｉｔｒｏｇｅｎ）薄膜材料。研究了ＳＯＩ材料表面界面的电学性能。

关键词： 离子注入 硅集成电路 薄膜材料

作者: 卢殿通 王瑛

作者单位: 师范大学低能核物理研究所(北京市辐射中心)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 169～172

在线出版日期: 1999-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）