ＳＩＭＯＸ绝缘埋层的非破坏性测量方法

摘要：

ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｍ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）技术是２１世纪的硅集成电路技术。离子注入ＳＩＭＯＸ（Ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ ｂｙ Ｉｍｐｌａｎｔｅｄ Ｏｘｙｅｎ）材料是最重要的ＳＯＩ材料。报道了氧注入单晶硅，经过高温长时间退火后，形成质量很好的ＳＩＭＯＸ薄膜材料。用多种方法测量了ＳＯＩ薄膜材料的表面硅层和绝缘埋层的厚度，详细研究了ＳＩＭＯＸ材料的红外吸收光谱牧场 生，求出了特征峰对庆的吸收系数，提出了利用红外吸收光谱测量ＳＩＭＯＸ绝缘埋层厚度的非破坏性方法。

关键词： 离子注入 ＳＯＩ ＳＩＭＯＸ 红外吸收

作者: 卢殿通

作者单位: 师范大学低能核物理研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 227～230

在线出版日期: 1999-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）