离子束溅射制备Ｖ〈，２〉Ｏ〈，５〉薄膜材料

摘要：

报道一种制备Ｖ〈，２〉Ｏ〈，５〉薄膜的新方法。采用离子束溅射（Ｉｏｎ－Ｂｅａｒｍ－ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）Ｖ〈，２〉Ｏ〈，５〉粉末靶的方法制备了氧化钒的薄膜。用ＸＰＳ对溅射出的薄膜进行测试表明，生成的是Ｖ〈，２〉Ｏ〈，５〉薄膜。通过椭偏光谱测试光吸收系数α，并拟合得到禁带宽度为２．８２ｅＶ。测定了ＳｉＯ〈，２〉衬底上的Ｖ〈，２〉Ｏ〈，５〉的电阻随温度变化的曲线和电阻率的激活能。

关键词： 离子束溅射 氧化钒 光吸收系数 激活能

作者: 周进 茹国平 李炳宗

作者单位: 复旦大学电子工程系,微电子研究所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 274～277

在线出版日期: 1999-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）