低能O<”+>离子束辅助PLD法外延生长ZnO薄膜
采用低能O<”+>离子束辅助脉冲激光淀积(IBA-PLD)法进行ZnO薄膜外延生长研究。X射线衍射(XRD)结果表明，有低能O<”+>离子束辅助淀积，利用波长为532nm的Nd:YAG固体脉冲激光，在P-Si(111)衬底上，也能生长出C-轴单一取向的高质量ZnO薄膜；190℃生长的样品结晶质量最好，X射线摇摆曲线(XRC)的ZnO(002)峰高宽(FWHM)为2.918°，其X射线光电子能谱(XPS)与俄歇深度分析能谱(AES)的结果表明，该膜具有ZnO的化学组成，沿膜纵向的成分分布均匀，Zn/O比接近1,膜厚约为32nm。该文讨论了低能O<”+>离子束辅助淀积改善PLD法成膜质量的原因。
离子束辅助脉冲 激光淀积 XRC FWHM XPS
杨少延 柴春林 刘志凯 廖梅勇
中国科学院半导体材料科学实验室
国内会议
厦门
中文
106～109
2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）