ZnS钝化的HgCdTe表面光电导衰退实验表征

摘要：

利用Ar<”+>溅射沉积技术在HgCdTe表面实现了低温ZnS介质薄膜的生长。在同一HgCdTe表面分别用ZnS介质膜、HgCdTe自身阳极氧化膜进行表面钝化。利用职权光电导衰退技术测量了两种不同表面钝化的薄HgCdTe晶片的非平衡栽流子寿命，并通过光电导衰减信号波形的拟合，得到了两种不同表面钝化的HgCdTe表面复合速度。实验结果表明，这里获得的ZnS介质膜HgCdTe界面质量已达到了成熟的自身阳极氧化膜/ZnSHgCdTe界面质量水平。

关键词： 离束溅射沉积 光电导衰退 表面复合速度

作者: 周咏东 赵军 龚海梅 李言谨 方家熊

作者单位: 苏州大学物理科学与技术学院(苏州) 中国科学院上海技术物理研究所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国光学学会98年中国青年光学学术研讨会

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 102-106

在线出版日期: 2000-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）