离化团束沉积装置的研制

摘要：

在材料表面改性领域， 离子团束(ICB)沉积技术在半导体和其它功能膜方面应用日益广泛。该文简单介绍了研制的离化团束沉积实难装置以及在此装置上进行的一些初步实验，并分别在硅片上沉积的Cu和Al膜。 Cu和Al膜的AFM图象显示沉积膜的表面粗造度的均方根值约为10<”0>-10<”1>埃，接近或达到原子级别。

关键词： 离化团 沉积 薄膜

作者: 唐德礼 耿漫 蒲世豪 邵先华 谢锋 莫志涛

作者单位: 核工业西南物理研究院

会议类型: 国内会议

会议名称: ”99全国荷电粒子源粒子束学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 289～291

在线出版日期: 1999-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）