MOVPE生长的GaN基蓝色/绿色LED

摘要：

该文报道了研究人员课题组在蓝色/绿色LED方面的研究工作进展：用自行研制的LP-MOVPE设备，在蓝宝石(a-Al<,2>O<,3>)衬底上先后生长出以InGaN为有源区的蓝光和绿光InGaN/AlGaN双异质结结构和InGaN/GaN量子阱结构的LED，其发射波长分别为430-450nm和520-540nm。

关键词： 蓝/绿色 发光二极管

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国LED产业研讨与学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 35～37

在线出版日期: 2000-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）