三元Ga<,x>In<1-x>P和四元(Al<,x>Ga<1-x>)<,0.51>In<,0.49>P
测量了室温下三元Ga<,x>In<1-x>P和四元(Al<,x>Ga<1-x>)<,0.51>In<,0.49>P(X=0.29)合金背散射配置下的喇曼光谱。三元Ga<,x>In<1-x>P的喇曼谱表现为双模形式，在DALA带上叠加了FLA模，在有序样品中观察到了类GaP的TO<,1>模和类InP的TO<,2>模，类GaP的LO<,1>模和类InP的LO<,2>模的分裂，表示有序度的b/a比从无序样品的0.40变化到有序样品的0.10，有序样品b/a比的降低是由于TO<,1>模和LO<,1>模分裂的影响所造成的。四元(Al<,x>Ga<1-x>)<,0.51>In<,0.49>P为三模形式，观察到了双峰结构的FLA模，由于Al组分的影响，类GaP的LO模成了类InP的LO模的肩峰。所有模式与经验公式吻合得很好。
喇曼谱 有序化 Ⅲ-Ⅴ族半导体
吕毅军 高玉琳 郑健生 李志锋 蔡炜颖
厦门大学物理系(厦门) 中国科学院上海技术物理研究所(上海)
国内会议
海口
中文
392～396
2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）