拉晶埚位对直拉硅单晶氧含量的影响

摘要：

该文研究了直拉硅单晶氧含量与拉晶埚位的关系。埚位高，单晶头部氧含量较高；埚位低，单晶头部氧含量较低。

关键词： 拉晶 埚位 硅单晶 氧含量

作者: 郝玉清 方锋 吴志强 张果虎

作者单位: 有色金属研究总院半导体材料工程研究中心 有金研院半导体材工程研究中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年全国半导体硅材料学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 75～76

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）