AlGaN/GaN HEMT器件研究

摘要：

叙述了AlGaN/GaNHEMT的特点及制造工艺，给出其测试结果，最大跨导～157ms/mm，由S参数测量推出器件的截止频率f<,T>和最高振荡频率f<,max>分别为12GHz和24GHz。

关键词： 宽禁带半导体 半导体材料

作者: 曾庆明 吕长志 刘伟吉 李献杰

作者单位: 信息产业部电子第十三研究所(石家庄) 北京工业大学固态电子学研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 170～173

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）