快速退火对InGaAs/GaAs量子点超晶格的影响

摘要：

利用光荧光(PL)和双晶X射线(DCXRD)技术，研究了快速退火对MBE生长的量子点超晶格的弛豫机制和光学性质的影响。随着退火温度的提高，PL光谱的半高宽减小了28meV，而且峰位兰移86meV。对应于量子点超晶格的双晶摇摆曲线强度在初始退火温度的是高而减弱，直到消失。然而，随着退火过程中存在着相互竞争的两种弛豫机制：互扩散和自组织。这一结果表明，合适的快速退火对量子点超晶格是有利的。

关键词： 快速退火 InGaAs/GaAs 量子点超晶格

作者: 庄乾东 李晋闽 曾一平 张方方 王玉田 吴巨

作者单位: 中国科学院半导体研究所新材料部(北京) 中国科学院半导体研究所光电子工艺中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国分子束外延学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 140-141

在线出版日期: 1999-06-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）