抗辐照CMOSSOS集成电路用2″SOS外延片研制

摘要：

通过改进ＣＶＤ的工艺条件，采用氢气抛光和有效地控制衬底自掺杂，采用硅烷低温热分解法，在２″蓝宝石衬底上实现了硅外延层的均匀淀积，制备了高阻近本征、结构完整硅膜厚度均匀的ＳＯＳ外延片，满足了抗辐照ＣＭＯＳ／ＳＯＳ集成电路对２″ＳＯＳ外延片的技术要求，实际应用效果良好。

关键词： 抗辐照 CMOSSOS集成电路 2″SOS外延片

作者: 孙家龙 韩有路 张玲 步云英 谢礼丽

作者单位: 市导体技术所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 188～190

在线出版日期: 1999-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）