低电压三值nMOS电路设计技术
该文在分析了采用低电压工作时数字电路性能下降甚至不能正常工作的原因后，提出了二种适合于低压电压nMOS电路设计的串联开关转换成并联开关技术，并从开关级具体设计了低电压三值nMOS电路。对设计的电路进行模拟得到的结果表明，在采用标准工艺参数时，只要工作电压不低于管子阈值，则该文设计的低电压电路不仅具有正确的逻辑功能，并且具有较快的速度。
开关信号理论 低电压电路 多值电路 nMOS电路 并联开关
陈华华 沈继忠
浙江大学信息与电子工程学系(杭州)
国内会议
成都
中文
66～71
2000-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）