聚环戊二烯薄膜的制备及其C-V特性

摘要：

该文首次报导了采用等离子体增强化学汽相淀积技术，以环戊二烯为源合成了聚环戊二烯薄膜，讨论了薄腹的生长系统和淀和条件对生长速率的影响，在薄膜表面蒸发金形成Au／Polymer／P-Si结构，测出常温下的C-V特性，估算出薄膜的固定电荷密度。

关键词： 聚环二戊烯薄膜 PECVD技术 C-V特性

作者: 戴国瑞 孙颖 南金 王宗昌 张英兰

作者单位: 大学电子工程系(长春) 科学院长春物理所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届中国功能材料及其应用学术会议

会议地点: 重庆

会议语种:中文

页码: 159～161

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）