PPy/APS-SiO<,2>纳米导电复合材料的合成与表征

摘要：

首先用不同百分含量的氨丙基三乙氧基硅烷(APS)处理SiO<,2>,然后以水为反应介质,通过化学聚合方法合成的PPy/APS-SiO<,2>纳米复合材料,并利用红外光谱、热失重分析、X-射线光电子能谱(XPS)、透射电镜和四探针等手段进行表征.结果表明,PPy/APS-SiO<,2>表面富有PPy,而PPy/SiO<,2>表面富有SiO<,2>.其中用PPy/1℅APS-SiO<,2>复合材料的电导率最高,为38.46S/cm,达到公开报道的最高值.

关键词： 聚吡咯 二氧化硅 纳米复合材料 硅烷偶联剂 电导率

作者: 王立新 任丽 洪奕 赵金玲 刘盘阁 蹇锡高

作者单位: 河北工业大学化工学院（天津） 河北工业大学化工学院(天津)大连理工大学化工学院(辽宁大连)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第二届纳米材料和技术应用会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: F92-F95

在线出版日期: 2001-05-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）