深亚微米线条的制作技术

摘要：

该文以这几年为用户提供线宽CD为0.4um，公差要求±0.1um的掩模版，通过不断的实验，阐述了线宽为深亚微米的制作与普通线宽的制作，从数据处理、设备调整、曝光排版、版质量选材、工艺处理等各项技术难点用不同解决方法，为制备精细掩模成为了可能。为纳米技术的研究奠定了基础。

关键词： 精细掩模 线条制作技术 曝光剂量

作者: 王新华 严剑荫

作者单位: 华晶电子集团公司掩模工厂

会议类型: 国内会议

会议名称: 第一届全国纳米技术与应用学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 277～281

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）