半导体表面状态及补偿现象对晶管门极触发特性的影响

摘要：

该文简述了半导体表面状态及补偿现象产生的原因及对晶体管门极触发特性的影响，并通过实验对非补偿现象、补偿现象加以区分。提出了可适用于大功率晶闸管制造工艺中解决补偿现象对晶闸管门极触发特性影响的简单易行的方法，相信会在生产实践中对解决类似问题带来一些帮助。

关键词： 晶闸管 补偿现象 表面状态 杂质 门极触发电流 门极触发特性

作者: 温喜成

作者单位: 部自动化院电力半导体所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国自动化学会自动化科学技术应用学术会议

会议地点: 香港

会议语种:中文

页码: 422～426

在线出版日期: 1998-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）