YAG:Gr<”4+>晶体Q开关的制备及应用研究

摘要：

该文报道YAG:Gr<”4+>晶体的生长，Q开关的制备和用于1.06μmNd激光调Q的研究结果。用于脉冲YAG:Nd激光调Q时，达到：脉冲宽度6.7ns，调Q效率56.9℅，单脉冲域2J，重复频率40Hz，并成功用于大截面板条激光器，高重频1.54μm喇曼频移激光器，钕玻璃激光器和LD泵浦的固体激光器调Q。

关键词： 晶体生长 调Q效率 激光调Q YAG Gr<”4+>晶体 Q开关

作者: 徐天华 赵世平 李戈平 彭维清 黄昌明

作者单位: 西南技术物理研究所(成都)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第三届四川省光电技术学术交流会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 39～44

在线出版日期: 2000-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）