光照条件下多晶硅晶界复合特性

摘要：

假设晶界界面态呈高斯分布,理论上研究了光照条件下多晶硅晶界的复合特性.我们认为晶界材料是非晶的,研究了光照和掺杂浓度(Nd)对晶界势垒高度(Vg)、空间电荷边缘少子的界面复合速度S(0)和有效复合速度S(w),界面复合电流密度J<,R>(0)的影响.结果表明在相同的光照条件下△E<,f>下,S(0),S(w),J<,R>(0)随Nd的增加而增加.

关键词： 晶界 高斯分布 势垒高度 复合特性 多晶硅 太阳电池

作者: 孟凡英 崔容强

作者单位: 上海交通大学应用物理系太阳能研究所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中美清洁能源技术论坛

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: Ⅰ-91-Ⅰ-94

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）