Ge<,x>Si<,1-x>/Si中应变的会聚束电子衍射研究

摘要：

介绍了会聚束电子衍射(CBED)技术与计算机模拟相结合测定Ge<,x>Si<,1-x>/Si化学 梯度层中应变分布的实验结果，提供了一种高空间分辨率、高灵敏度，且适用于任何材料系中微区晶格常数测定及应变分布研究的技术途径。

关键词： 金属化合物 会聚束 电子衍射 计算机模拟 应变

作者: 范缇文 吴巨 王占国

作者单位: 中国科学院半导体研究所材料开放实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 403～405

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）