金属等离子体源离子注入及薄膜沉积

摘要：

金属等离子体浸没离子注入和沉积（MepIII&D）技术是近几年发展起来的一种崭新的材料表面改性技术。该文报道一金属等离子体源离子注入及薄膜沉积系统（MPSIID），这一系统除具有MePIII&D的特点外，它还把气体等离子体和金属等离子体结合起来。利用MPSIID系统，我们对45号钢表面用氮和铝的等离子体中进行了处理，并利用电化学腐蚀测试、XRD、XPS、AES、SEM和TEM等手段对样品进行了分析。

关键词： 金属 等离子体源 薄膜沉积

作者: 刘斌 杨思泽

作者单位: 中国科学院物理研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届全国等离子体科学技术会议

会议地点: 大连

会议语种:中文

页码: 120-123

在线出版日期: 1999-08-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）