界面态对HEMT直流输出特性的影响

摘要：

该文利用高电子迁移率晶体管（HEMT）的直流输出分析模型，首次定量地分析了界面态对AlGaAs／GaAsHEMT直流输出特性的影响。考虑界面态的作用，详细分析了不同界面态密度对HEMT的1—V特性和器件跨导的影响，研究人员的研究结果表明随着界面态密度的增加。栅极电压对电流的控制能力减小，从而使器件的跨导减小。

关键词： 界面态 HEMT 直流输出特性

作者: 张兴宏 胡雨生

作者单位: 科学院上海冶金研究所(上海) 科学院半导体研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 184～190

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）