界面粗糙度与晶粒取向对Co／Cu多层膜巨磁电阻效应的影响

摘要：

该文系统研究了用直流磁控溅射方法制备的co/Cu多层膜其巨磁电阻（GMR）与晶粒取向和界面粗糙度的关系，发现GMR与界面粗糙度和晶粒取向密切相关。＜2O0>和＜22O＞择优取向的出现伴随较大的GMR。而＜111＞择优取向却对形成大的GMR不利。

关键词： 界面 粗糙度 晶粒取向 Co／Cu多层膜 巨磁电阻效应

作者: 张宗芝 张国祥

作者单位: 大学物理系 师范大学物理系

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国物理学会第三届纳米磁性材料和物理学术讨论会第五届全国磁性薄膜学术会议

会议地点: 杭州

会议语种:中文

页码: 26～27

在线出版日期: 1998-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）