SPC法检测硅材料性能的新进展

摘要：

简述了ＳＰＶ法测量少子扩散长度的原理。分析子标准方法与改进方法之间的差别，概述了ＳＰＶ在测量长度方面的进展，特别指扩散长度监测重金属杂质沾污的优点以及必须要完成的基础工作，并介绍有关实例。

关键词： 检测 硅材料 性能 表面光电压法

作者: 王世进

作者单位: 半导体材料研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年全国半导体硅材料学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 212～215

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）