多晶硅薄膜应力特性研究

摘要：

该文报道了低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）制备的多晶硅薄膜内应力与制备条件、退火温度和时间及掺杂浓度关系的实验结果。ＬＰＣＶＤ制备的多晶硅薄膜具有本征压应力。采用快速退火（ＲＴＡ）可以使其压应力松弛，并可使其转变成为本征张应力。

关键词： 本征应力 快速退火 微电子机械系统 多晶硅薄膜

作者: 张国炳 郝一龙

作者单位: 大学微电子学研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 213～216

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）