快速退火对多晶硅薄膜应力特性的影响

摘要：

报道子快速退火（ＲＴＡ）对低压化学气相淀积（ＬＰＣＶＤ）制备的多晶硅薄膜内应力的影响，研究了退火温度和时间及掺杂浓度关系，ＬＰＣＶＤ制备的多晶硅薄膜具有本征压应力。采用快速火可以使其压应力松弛，并使其转变成征张应力。

关键词： 本征应力 快速退火 微电子机械系统

作者: 攻国炳 郝一龙 张录

作者单位: 大学微电子学研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 427～430

在线出版日期: 1999-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）