具有脊波导结构的长波长部分增益耦合型分布反馈半导体激光器
该文从理论上分析了1.55um脊波导结构增益耦合型分布反馈半导体激光器的优化设计并进行了实际器件的制作。实验中采用增益与折射率混合光栅引入部分增益耦合,并采用倒台形状的脊波导结构以实现横模限制。制作的器件实现了单模工作,阈值电流20~30mA边模抑制比大于30 dB。
脊波导结构 半导体激光器
孙长征 文国鹏
光电子学国家重点联合实验室,清华大学电子工程系 电信器件公司
国内会议
宜昌
中文
253~255
1998-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)