用于集成光波导的SOI材料制备

摘要：

本文介绍了采用键合-背面腐蚀的方法制备SOI材料(BESOI),硅膜的厚度为8μm,绝缘层SiO<,2>厚1.3μm,用于集成光波导器件和功率分配器的研制.

关键词： 集成光波导 硅集成 注氧隔离 键合背腐蚀

作者: 杨艺榕 传感技术国家重点联合实验室 王跃林 传感技术国家重点联合实验室

作者单位: 中国科学院上海冶金研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第四届全国微米/纳米技术学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 294-296

在线出版日期: 2000-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）