大规模集成电路γ瞬时辐射效应研究
通过该项目的研究，建立了大规模集成电路γ瞬时静态、动态辐射试验方法和试验测试系统，通过“闪光-1”加速器γ瞬时静态辐射试验，获得了存储器静态辐射下的程序擦抹规律。通过γ瞬时动态辐射试验，获得了存储器(EPROM、EEPROM、RAM)，微处理器(CPU)， 模／数（A/D)、数／模(D/A)变换器和单片微机大规模集成电路的γ瞬时损伤的规律，对其 产生损伤的机理进行了研究；提出了γ瞬时加固的主要途径。研究成果可用于今后国内大规模集成电路的抗γ瞬时加固工作中。
集成电路 γ瞬时辐射 静态辐射试验 动态辐射 加固途径
余仁根
中物院应用电子学研究所(成都)
国内会议
江苏扬州
中文
1～18
1999-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）