PZT/SiO<,2>/Si集成薄膜的制备及其场效应的研究

摘要：

利用超薄SiO<,2>作缓冲层，在Si(100)衬底上成功地制备了高度c取向的PZT薄膜，SiO<,2>的厚度对PZT薄膜的单相单一取向性有重要影响。所得PZT薄膜极化性能良好，饱和极 化、剩余极化分别为26uC/cm<”2>和10uC/cm<”2>，矫顽场为70kV/cm，且在栅压为0.5V时观 察到明显的场效应，且在栅撤璃后具有“记忆”功能。

关键词： 集成薄膜 缓冲层 铁电场效应

作者: 林媛媛 龚伟志

作者单位: 中国科学院物理研究所超导国家重点实验室凝聚态物理中心( 北京) 中国科学院物理研究所超导国家重点实验室凝聚态物理中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国超导薄膜和超导电子器件学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 111～114

在线出版日期: 2000-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）