脉冲激光烧蚀沉积ZnSe薄膜的研究
我们用248nm的KrF准分子脉冲激光烧蚀ZnSe靶材沉积ZnSe薄膜.靶采用多晶ZnSe片,衬底采用抛光GaAs(100).衬底预处理采用化学刻蚀和高温处理.原子力显微镜(AFM)观察显示在GaAs(100)沉积的ZnSe薄膜的平均粗糙度为3～4nm.X射线衍射(XRD)结果表明ZnSe薄膜(400)峰的半高宽为0.4～0.5°.对激光烧蚀团束的四极质谱分析表明烧蚀团束主要由Zn、Se和2Se组成,并由此推断ZnSe薄膜的二维生长模式.
激光烧蚀 ZnSe薄膜 二维生长模式
许宁 杜元成 应质峰 凌浩 李富铭
复旦大学光科学与工程系,三束材料改性国家重点实验室(上海)
国内会议
厦门
中文
213-215
2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）