高激发功率对GaP:N发光谱的影响

摘要：

该文呈现了掺氮磷化镓(GaP:N)荧光光谱的几条谱线(孤立氮A、最邻近N-N对NN<,1>和次邻近N-N对NN<,3>随激发强度的变化规律，并在发光跃迁动力学方程中计入了高激发引起的样品温度变化，得到更好的拟合效果，最后讨论了用此法计算GaP:N样品中氮浓度时应注意的一些问题。

关键词： 激发功率 掺氮磷化镓 发光谱 掺杂浓度

作者: 康秀英 杨锡震 王亚非 王幼林

作者单位: 北京师范大学测试中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国LED产业研讨与学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 56～58

在线出版日期: 2000-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）