活性离化团束沉积的研究

摘要：

该文简单介绍了在研究人员研制的离化团束沉积实验装置上进行的活性离化团束沉积实验，硅片上进行的活性沉积AIN薄膜的歇电子能谱分析表明，AIN的含量约为12℅。活性沉积薄膜的AFM图象表明其表面粗造度的均方根值为0.293nm。

关键词： 活性离化团束 沉积

作者: 唐德礼

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国核学会第十二届青年学术讨论会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 77～80

在线出版日期: 2000-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）