深亚微米栅HFET器件工艺研究

摘要：

通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法，并利用复合胶结构，一次电子束曝光制作出具有T型栅的HFET(Heterojunction Field-Effect Transistor)器件，并对0.1μm栅长HFET器件的整套工艺及器件性能进行了研究。形成了一整套具有新特点的HFET器件制作工艺，获得了良好的器件性能(f<,t>=78GHz；g<,m>=440ms/mm)。

关键词： 混合曝光 HFET T型栅 电子束曝光 光学曝光

作者: 郑英奎 和致经 吴德馨

作者单位: 中科院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 193～196

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）