半绝缘砷化镓中的低频振荡及其对FET噪声性能的影响

摘要：

对无光照条件下测量背栅时，部分半绝缘砷化镓材料呈现明显低频振荡。对振荡特性进行了初步研究，并观察了振荡对GaAs MESFET噪声性能的影响。实验结果表明了采用不同低频振荡特性的材料制备器件时，其噪声性能也有差别。

关键词： 半绝缘砷化镓 低频振荡 噪声

作者: 张绵 王云生 李岚 白锡巍

作者单位: 信息产业部电子十三所(石家庄)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 海口

会议语种:中文

页码: 197～200

在线出版日期: 2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）