热丝CVD法在多孔硅衬底生长金刚石薄膜研究

摘要：

利用热丝ＣＶＤ系统研究了金刚石薄膜在多孔硅衬底上的成核和生长过程。实验发现金刚石是在孔的边缘成核，且成核密度达到３．６×１０〈’７〉ｃｍ〈’－２〉。利用扫描电镜、ＸＲＤ和拉曼散射对金刚石薄膜的表面形貌进行了研究。获得金刚石薄膜主要为（１１０）取向，并且与衬底有很好的结合力。

关键词： 化学汽相沉积 薄膜 金刚石膜 成核 多孔硅

作者: 廖源 叶峰 邵庆益 王冠中

作者单位: 科技大学物理系(合肥) 科技大学结构分析开放实验室(合肥)

会议类型: 国内会议

会议名称: 1998年中国材料研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 666～670

在线出版日期: 1999-01-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）