化学气相沉积法无催化制备定向生长硅纳米棒
利用化学气相沉积法在经过稀释HF处理的SiO<,2>/Si片上，制备出定向生工的硅纳米棒。利用场发射扫描电子显微镜和高分辨透射电镜对样品的表面形貌和结构进行观测。结果表明：在衬底生长出直径为300nm、长度达几个微米的定向生长的硅纳米棒；这些纳米棒为多晶态。讨论了无催化生长定向硅纳米棒的生长机理。
化学气相沉积法 硅纳米棒 团簇
刘祖琴 唐东升 邹小平 李玉宝 周维亚 王刚
中国科学院物理研究所
国内会议
厦门
中文
81～84
2000-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）