碳化硅纳米粉体的制备及真空度的影响
以六甲基二硅氨烷和高纯氢气为原料，在1400℃温度条件下，通化化学气相沉积法（CVD），制备出了粒度为8nm～10nm的无定型粉体。经过1500℃晶化处理后，出现以β-SiC相为主体，有弱α-SiC相的衍射峰，晶化后的颗粒为20nm～40nm。实验发现设备的初始睦空度严重地影响着纳米粉体的质量，初始真空度低将使C、Si总含量下降，游离Si、C含量上升。合成后的粉体进行了XRD、TEM及红外分析，晶化后的粉体进行了XRD，TEM，HREM和湿化学分析，并与日本的粉体进行了比较。
化学气相沉积 纳米粉体 晶化 碳化硅 真空度
陆忠乾 江东亮 谭寿洪
上海硅酸盐研究所
国内会议
广东佛山
中文
33-35
1999-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）