硅基平面热线式NH<,3>敏元件的研究
利用液相掺Sb的化学共沉淀方法制备了SnO<,2>-Sb纳米微粉,以其为气敏基体材料加入一些适量的掺寻研磨成气敏浆料,涂于带有Pt膜电极的硅衬底片上,经700℃焙烧制成气敏元件,对H<,2>、C<,2>H<,5>OH、NH<,3>等比较敏感。用NH<,4>VO<,3> 1.5wt℅的溶液含浸该元件,可改善元件对NH<,3>的选择性。
化学共沉淀法制备 SnO<,2>-Sb纳米微粉 半导体气敏元件
全宝富 金丽妍 全海英 陈丽华 孙良彦
吉林大学电子工程系(长春)
国内会议
北京
中文
267~270
1999-10-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)