化学沉积CdS与Cd<,1-x>Zn<,x>S膜的工艺研究

摘要：

对于ZnO/CIS薄膜太阳电池结构,需要在它们之间夹一层很薄的CdS或Cd<,1-x>Zn<,x>S薄膜(50nm左右)作为过渡层.采用化学水浴法制备CdS或Cd<,1-x>Zn<,x>S薄膜,经过XRD、扫描电镜和红外吸收谱对透过率的测定,较之蒸发法所制备的CdS均匀、致密:经空气退火后,虽然光透过率都有所降低,但晶体结构更趋于完整;Cd<,1-x>Zn<,x>S薄膜的致密性、均匀性、光学带隙都好于CdS,作为ZnO/CIS电池结构的过渡层是较为理想的薄膜材料.

关键词： 化学淀沉积 水浴法 硫化镉薄膜 薄膜太阳电池 Cd<,1-x>Zn<,x>S薄膜 薄膜沉积

作者: 张新辉 王荣

作者单位: 信息产业部电子第18研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国第六届光伏会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 164-167

在线出版日期: 2000-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）