化合物半导体材料物理化学的若干研究

摘要：

该文对化合物半导体材料特性，生长速率、沉积反应、液-固平衡、气固平衡和掺杂行为等进行了动力学，热力学和模式识别以及人工神经网络的研究。所得结果为改进化合物半导体材料的生长工艺、控制生长条件和改善材料质量提供了有益的依据，有助于化合物半导体材料及其有关学科的发展。

关键词： 化合物 半导体 物理化学 MOCVD LPE

作者: 彭瑞伍 张兆春

作者单位: 科学院上海冶金研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国金属学会”98冶金过程物理化学学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 642～646

在线出版日期: 1998-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）