半导体致冷材料的陶瓷工艺研究

摘要：

针对半导体致冷在中国的现状，采用新的制备技术－－陶瓷工艺，在气氛保护下，通过固相烧结反应法制备温差电多晶材料。利用差热、Ｘ－ｒａｙ衍射、扫描电镜等分析及性能测试，确定了赝三元固溶体化各物Ｐ型（２５℅Ｂｉ〈，２〉Ｔｅ〈，３〉＋７０℅Ｓｂ〈，２〉Ｔｅ〈，３〉＋５℅Ｓｂ〈，２〉Ｓｅ〈，３〉）和Ｎ型（９０℅Ｂｉ〈，２〉Ｔｅ〈，３〉＋５℅Ｓｂ〈，２〉Ｔｅ〈，３〉＋５℅Ｓｂ〈，２〉Ｓｅ〈，３〉）的最佳陶瓷工艺制度。并指出陶瓷工艺的切实可行性，对半导体致冷技术的民用化具有十分重要的意义。

关键词： 半导体致冷 陶瓷工艺 温差电

作者: 张斗 孙华君

作者单位: 工业大学材料学院

会议类型: 国内会议

会议名称: 首届硅酸盐青年学术会议

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 45～49

在线出版日期: 1998-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）