半导体微腔中垂直场GaAs/AlGaAs多量子阱光折变特性的研究

关键词： 半导体微腔 GaAs/AlGaAs 多量子阱 光折变特性

作者: 孙甲明 张燕峰 张满红 黄绮 周均铭

作者单位: 中国科学院物理研究所MBE实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第五届全国分子束外延学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 158-158

在线出版日期: 1999-06-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）